據(jù)中國(guó)2018年12月10日消息，今晚，IGBT電動(dòng)中國(guó)芯比亞迪中間技能解析會(huì)在寧波威斯汀酒店進(jìn)行。說(shuō)起IGBT，我們大年夜大年夜多半人都對(duì)比陌生，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是指絕緣柵雙極型晶體管，是一種大年夜大年夜功率的電力電子器件，首要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交換電，俗稱電力電子裝配的“CPU”。

IGBT與動(dòng)力電池是新動(dòng)力汽車(chē)的中間技能，今朝，以比亞迪為主的企業(yè)曾根基可以或許滿足國(guó)際新動(dòng)力汽車(chē)動(dòng)力電池需求。IGBT本錢(qián)約占整車(chē)本錢(qián)比例的5%，因?yàn)槠浼寄荛T(mén)檻高、投資范圍大年夜大年夜，招致國(guó)際IGBT經(jīng)久依托于英飛凌、三菱等國(guó)際巨擘，供不該求，招致“一芯難求”，嚴(yán)重影響了國(guó)際新動(dòng)力汽車(chē)的發(fā)展。

2005年，比亞迪正式進(jìn)軍IGBT范圍，從2008年的1.0版本，一貫到2017年的4.0版本，比亞迪將IGBT晶圓的厚度由本來(lái)的180μm降落至120μm。全部功耗降落約20%，同時(shí)，具有更優(yōu)良的EMC，對(duì)系統(tǒng)煩擾更小，并且晉升了應(yīng)用壽命。

今朝，IGBT4.0已比亞迪唐經(jīng)過(guò)多項(xiàng)測(cè)試。個(gè)中，在低速勻速工況、高速加快工況、0-100急加快三種工況中，整車(chē)百千米電耗約降落0.6kwh，較主流IGBT，百千米電耗降落約3%。其綜合工況功耗較主流產(chǎn)品降落約20%。

不異前提下，IGBT4.0溫升較今朝市場(chǎng)主流產(chǎn)品平均溫度降落18度，溫升更低，輪回壽命可以做到今后市場(chǎng)主流產(chǎn)品的10倍以上，靠得住性更高。同時(shí)，最大年夜大年夜輸入電流晉升了15%，具有更高的功率和扭矩，也讓車(chē)輛具有更強(qiáng)的加快才調(diào)。

比亞迪IGBT曾成為國(guó)際第一個(gè)完成車(chē)規(guī)級(jí)IGBT大年夜大年夜范圍量產(chǎn)的企業(yè)，打破了國(guó)際巨擘的壟斷，關(guān)于促進(jìn)我國(guó)芯片家當(dāng)和新動(dòng)力汽車(chē)家當(dāng)?shù)陌l(fā)展具有深遠(yuǎn)影響。截至2018年11月，比亞迪累計(jì)懇求IGBT相干專利175件，個(gè)中授權(quán)專利114件。比亞迪在IGBT方面曾處于全球搶先程度，也讓中國(guó)在IGBT范圍與歐洲、日本三分世界。

今朝，比亞迪IGBT芯片晶圓的產(chǎn)能為5萬(wàn)片/月，年供給新動(dòng)力汽車(chē)60萬(wàn)輛，2019年6月份，其產(chǎn)能將達(dá)到10萬(wàn)片/月，年供給新動(dòng)力汽車(chē)可達(dá)120萬(wàn)輛，將很大年夜大年夜程度上減緩新動(dòng)力汽車(chē)IGBT芯片供給貧乏結(jié)果。

比亞迪一向懷著協(xié)作、共贏的心態(tài)，與英飛凌、三菱兩大年夜大年夜國(guó)際巨擘既是競(jìng)爭(zhēng)敵手，也異常是異常好的協(xié)作火伴，在國(guó)際共同盡力的前提下，進(jìn)一步促進(jìn)IGBT的快速發(fā)展。與此同時(shí)，比亞迪也將為其他新動(dòng)力汽車(chē)廠商供給芯片，今朝，比亞迪首要應(yīng)用1200V擊穿電壓的芯片，而國(guó)際大年夜大年夜局部新動(dòng)力汽車(chē)廠商所應(yīng)用的是650V和750V電壓的芯片，比亞迪也將在2019年1月份，垂垂為其他汽車(chē)廠商婚配照顧電壓的IGBT芯片，助理國(guó)際新動(dòng)力汽車(chē)早日擺脫國(guó)際壟斷。

比亞迪還推出了雙面散熱水冷模塊，其節(jié)制器功率密度晉升一倍，代表了全球最前輩的IGBT程度。與此同時(shí)，比亞迪還布局第三代半導(dǎo)體資料SiC，今朝已大年夜大年夜范圍用于車(chē)載電源,2019歲尾將推出中國(guó)首輛搭載SiC電控的電動(dòng)車(chē)。估計(jì)在2023年采納SiC基半導(dǎo)體周全替代硅基半導(dǎo)體，引領(lǐng)下一代電動(dòng)車(chē)芯片改革。