近日比亞迪對外宣布已投入巨資布局半導體材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

比亞迪推出IGBT4.0

12月10日，比亞迪在IGBT4.0技術發(fā)布會上，對外宣布已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，并將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業(yè)鏈，目的在于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領域的應用。

同時，比亞迪方面表示公司已經成功研發(fā)了SiCMOSFET(汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。

何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，俗稱電力電子裝置的“CPU”。

據了解，IGBT的成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統(tǒng)直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

實地走訪比亞迪寧波IGBT生產車間，新浪財經得知目前比亞迪IGBT模塊生產周期為45天，產能為每月5萬。據比亞迪第六事業(yè)部總經理陳剛介紹，公司目前在此領域已投入超過億元，于2019年6月擴張產能至10萬每月。

日前比亞迪推出的IGBT4.0產品，整體功耗將同比降低約20%，電流輸出能力提升15%。具體應用領域包括汽車牽引動力驅動、車用空調變頻與制熱、汽車轉向助力系統(tǒng)和工業(yè)感應加熱電器、電焊機及變頻器等。

事實上，比亞迪早在2005年就在此領域進行布局。當時比亞迪組建IGBT研發(fā)團隊，正式進軍IGBT領域。2008年10月，比亞迪收購寧波中緯半導體晶圓廠。而后一年，比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定。目前，比亞迪擁有IGBT完整產業(yè)鏈，包含IGBT芯片設計和制造、模組設計和制造、大功率器件測試應用平臺、電源及電控等。

IGBT市場前景大但仍待實現(xiàn)產業(yè)化

中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會秘書長蔚紅旗在會上表示，半導體作為新一代功率器件，覆蓋領域包括微電子、新能源車、高鐵以及輸電領域等。而其最大的需求市場其實是在中國，因此他強調這個板塊必須做到自主研發(fā)。

但IGBT行業(yè)自身因技術難、投資大導致準入門檻高，被業(yè)內稱為新能源汽車核心技術的“珠穆拉瑪峰”也并非人人能攀。

根據世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子(FutureElectronicsLTD)的統(tǒng)計：2018年，應用于新能源汽車的IGBT模塊的交貨周期最長達到52周(IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周)。而2018至2022年全球新能源汽車產量年復合增長率為30%，但同期車規(guī)級IGBT產量的年復合增長率僅為15.7%(IGBT產業(yè)整體同期為8.2%)。

基于此，可以預見未來幾年全球車規(guī)級IGBT市場的供應將愈加緊張。而目前我國還存在IGBT的發(fā)展嚴重滯后，中高端IGBT產能嚴重不足，長期依賴國際巨頭等問題。

自主化和產業(yè)化顯然都成為了IBGT行業(yè)發(fā)展前景方向。對于IGBT未來產業(yè)化的發(fā)展，比亞迪第六事業(yè)部產品總監(jiān)楊欽耀認為還需注意以下三點。第一是注重應用端的拉動;第二是人才方面的培養(yǎng);第三則是產品生產要實現(xiàn)標準化。

回歸至比亞迪自身，楊欽耀表示公司從整車應用角度給了(研發(fā))很多期望。例如模塊控制器如何做到體積更輕、更小而效率更高。同時，他表示IGBT未來仍有很大的應用市場，比亞迪也會繼續(xù)發(fā)布新產品，充分挖掘潛力。