鉅大鋰電 | 點擊量:0次 | 2020年06月18日
MOS管發熱的可能性原因
做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到場效應管,也就是人們常說的MOS管。MOS管有很多種類,也有很多用途。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關用途。
無論N型或者p型MOS管,其工作原理本質是相同的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。其重要原理如圖:圖1。
圖1MOS管的工作原理
我們在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。
圖2NMOS管的開路漏極電路
在開關電源應用方面,這種應用要MOS管定期導通和關斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能,這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。
我們經常看MOS管的pDF參數,MOS管制造商采用RDS(ON)參數來含義導通阻抗,對開關應用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊含義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關,但關于充分的柵極驅動,RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外,慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的新增。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數,其含義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的含義是結到管殼的熱阻抗。
1.發熱情況有,電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。假如N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,p-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2,頻率太高,重要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了
3,沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,要足夠的輔助散熱片。
4,MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大
這是我最近在處理MOS管發熱問題時簡單總結的。其實這些問題也是老生常談的問題,做開關電源或者MOS管開關驅動這些知識應該是爛熟于心,當然有時還有其他方面的因素,重要就是以上幾種原因。
下一篇:彈用小型化計算機電源










