IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。

理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：

IGBT的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。

動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取：

IGBT的開(kāi)通過(guò)程

IGBT在開(kāi)通過(guò)程中，分為幾段時(shí)間

1.與MOSFET類(lèi)似的開(kāi)通過(guò)程，也是分為三段的充電時(shí)間

2.只是在漏源DS電壓下降過(guò)程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過(guò)程中增加了一段延遲時(shí)間。

在上面的表格中，定義了了：開(kāi)通時(shí)間Ton，上升時(shí)間Tr和Tr.i

除了這兩個(gè)時(shí)間以外，還有一個(gè)時(shí)間為開(kāi)通延遲時(shí)間td.on:td.on=Ton-Tr.i

IGBT在關(guān)斷過(guò)程

IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?/p>

功率器件在綠色節(jié)能設(shè)計(jì)中的應(yīng)用【IGBT、MOSFET】

功率器件是功率電子技術(shù)的核心器件，特別是IGBT模塊和MOSFET器件被廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、汽車(chē)電子、家電等領(lǐng)域，為這些領(lǐng)域的節(jié)能提供了幫助。在世界都需要節(jié)能的情況下，功率器件的重要性將日益提高，發(fā)展前景將更加光明。本專(zhuān)題為你呈現(xiàn)功率器件的最新資訊及其主要應(yīng)用領(lǐng)域中的節(jié)能設(shè)計(jì)方案。

關(guān)于IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問(wèn)題

摘要：全面論述了IGBT的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)的有關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此，必須但對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)出了過(guò)流、過(guò)壓與過(guò)熱保護(hù)的相關(guān)問(wèn)題和各種保護(hù)方法，實(shí)用性強(qiáng)，應(yīng)用效果好。