鉅大鋰電 | 點(diǎn)擊量:0次 | 2019年12月31日
IGBT 系統(tǒng)設(shè)計(jì)全攻略【詳細(xì)】
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。
理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示:
IGBT的靜態(tài)特性一般用不到,暫時(shí)不用考慮,重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開(kāi)關(guān)特性)。
動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取:
IGBT的開(kāi)通過(guò)程
IGBT在開(kāi)通過(guò)程中,分為幾段時(shí)間
1.與MOSFET類(lèi)似的開(kāi)通過(guò)程,也是分為三段的充電時(shí)間
2.只是在漏源DS電壓下降過(guò)程后期,PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過(guò)程中增加了一段延遲時(shí)間。
在上面的表格中,定義了了:開(kāi)通時(shí)間Ton,上升時(shí)間Tr和Tr.i
除了這兩個(gè)時(shí)間以外,還有一個(gè)時(shí)間為開(kāi)通延遲時(shí)間td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在關(guān)斷過(guò)程
IGBT在關(guān)斷過(guò)程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?/p>
功率器件在綠色節(jié)能設(shè)計(jì)中的應(yīng)用【IGBT、MOSFET】
功率器件是功率電子技術(shù)的核心器件,特別是IGBT模塊和MOSFET器件被廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、汽車(chē)電子、家電等領(lǐng)域,為這些領(lǐng)域的節(jié)能提供了幫助。在世界都需要節(jié)能的情況下,功率器件的重要性將日益提高,發(fā)展前景將更加光明。本專(zhuān)題為你呈現(xiàn)功率器件的最新資訊及其主要應(yīng)用領(lǐng)域中的節(jié)能設(shè)計(jì)方案。
關(guān)于IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問(wèn)題
摘要:全面論述了IGBT的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)的有關(guān)問(wèn)題,并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法,這些方法實(shí)用性強(qiáng),保護(hù)效果好。
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此,必須但對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),總結(jié)出了過(guò)流、過(guò)壓與過(guò)熱保護(hù)的相關(guān)問(wèn)題和各種保護(hù)方法,實(shí)用性強(qiáng),應(yīng)用效果好。










