IGBT的構造和功率MOSFET的對比如圖1-1所示。IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構成的，從而具有以下種種特征。

(1)MOSFET的基本結構(2)IGBT的基本結構

圖1-1功率MOSFET與IGBT的構造比較

1.1電壓控制型元件

IGBT的理想等效電路，正如圖1-2所示，是對pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。

因此，在門極—發射極之間外加正電壓使功率MOSFET導通時，pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導通狀態。

此后，使門極—發射極之間的電壓為0V時，首先功率MOSFET處于斷路狀態，pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態。如上所述，IGBT和功率MOSFET一樣，通過電壓信號可以控制開通和關斷動作。

圖1-2理想的等效電路

1.2耐高壓、大容量

IGBT和功率MOSFET同樣，雖然在門極上外加正電壓即可導通，但是由于通過在漏極上追加p+層，在導通狀態下從p+層向n基極注入空穴，從而引發傳導性能的轉變，因此它與功率MOSFET相比，可以得到極低的通態電阻。

解說（請參照圖1-1閱讀下面的解說）

下面對通過IGBT可以得到低通態電壓的原理進行簡單說明。

眾所周知，功率MOSFET是通過在門極上外加正電壓，使p基極層形成溝道，從而進入導通狀態的。此時，由于n發射極（源極）層和n基極層以溝道為媒介而導通，MOSFET的漏極—源極之間形成了單一的半導體（如圖1-1中的n型）。它的電特性也就成了單純的電阻。該電阻越低，通態電壓也就變得越低。但是，在MOSFET進行耐高壓化的同時，n基極層需要加厚，（n基極層的作用是在阻斷狀態下，維持漏極—源極之間所外加的電壓。因此，需要維持的電壓越高，該層就越厚。）元件的耐壓性能越高，漏極—源極之間的電阻也就增加。正因為如此，高耐壓的功率MOSFET的通態電阻變大，無法使大量的電流順利通過，因此實現大容量化非常困難。

針對這一點，IGBT中由于追加了p+層，所以從漏極方面來看，它與n基極層之間構成了pn二極管。因為這個二極管的作用，n基極得到電導率調制，從而使通態電阻減小到幾乎可以忽略的值。因此，IGBT與MOSFET相比，能更容易地實現大容量化。

正如圖1-2所表示的理想的等效電路那樣，IGBT是pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片級聯型Bi-MOS晶體管。此外，IGBT與雙極型晶體管的芯片和功率MOSFET的芯片共同組合成的混合級聯型Bi-MOS晶體管的區別就在于功率MOSFET部的通態電阻。在IGBT中功率MOSFET部的通態電阻變得其微小，再考慮到芯片間需要布線這一點，IGBT比混合級聯型Bi-MOS晶體管優越。