近期，晶體硅生長技術論壇在杭州召開。此次論壇由亞化咨詢主辦，云集了協鑫、阿特斯、榮德等主流長晶企業技術專家，精功科技、晶盛機電、GTAT等設備制造商負責人，以及浙江大學、江蘇大學教授等權威專家。保利協鑫長晶事業部總裁游達博士參會并作《GCL鑄錠單晶技術進展》報告。游達博士認為，鑄錠單晶擁有更低氧含量、更低衰減、無缺角，性價比優勢非常明顯。

游達博士認為，多晶鑄錠硅片產品技術優勢為高產能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產品轉換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝，采用鑄錠方法生產的單晶硅片兼具二者技術優勢。部分下游客戶使用反饋，疊加PERC技術后，鑄錠單晶與Cz單晶效率差最少僅為0.18%，而成本大幅降低。而且，數據顯示，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產品低0.5%以上，長期發電量更高。

游達博士表示，鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產品，由于不存在缺角，其硅片面積100%可利用，比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。在同功率輸出的條件下，鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦，度電成本低0.006元/度。

游達博士介紹，保利協鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術，已經發布第三代產品。目前，保利協鑫鑄錠熱場工藝、錠檢設備、產品品質全面升級，對稱性熱場，分段式加熱控制有效降低位錯，實現高品質整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片將成為對市場有重大影響的差異化產品。