與氯化、紫外光照射等一般的殺菌方法相比,半導體光催化技術具有強氧化能力、無毒、長期光穩(wěn)定性和幾乎無需任何維護的特點,被認為是一種極具前景的殺菌方法.大部分的半導體光催化劑在合適的光照射下都可以作為殺菌抗菌劑,石墨烯與半導體復合可以進一步提高殺菌抗菌活性.

Liu等以TiO2納米棒/GO和TiO2納米顆粒/GO光催化滅活大腸桿菌,太陽光照前后的SEM照片如圖15所示.有石墨烯氧化物參與的光催化滅菌,大腸桿菌的滅活率幾乎達到100%,而沒有石墨烯氧化物參與的光催化滅菌,大腸桿菌的滅活率很低.其可能的原因是石墨烯氧化物的存在大大加快了TiO2光生載流子的分離,有效抑制了它們的再復合.

Akhavan等通過病毒蛋白質層信使RNA的流出和蛋白衣殼破損的測定評價了WO3/GO復合薄膜可見光條件下對噬菌體MS2病毒的光催化滅活效率,結果顯示,在室溫條件下光照3h后,病毒的蛋白質幾乎全部被破壞,RNA的流出也急劇增加,每個周期光照60h,20個循環(huán)后RNA的流出降低量不到10%,顯示出很好的光催化穩(wěn)定性.