鉅大鋰電 | 點擊量:0次 | 2021年03月18日
硅光電池有什么分類?
硅光電池的分類
1、晶體硅光電池
晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類,用p型(或n型)硅襯底,通過磷(或硼)擴散形成pn結成制作,生產技術成熟,是光伏市場上的主導產品。采用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優化背電極及接觸電極等技術,提高材料中的載流子收集效率,優化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式,光電轉換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限,目前比較大的為∮10至20cm的圓片,年產量力46MW/a。
2、非晶硅光電池
a-Si(非晶硅)光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成。由于外解沉積溫度低,可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜,易于大面積化(05rn&TImes;l.0m),成本較低,多采用pin結構。為提高效率和改善穩定性,有時還制成三層pin等多層疊層式結構,或是插入一些過渡層。其商品化產量持續上升,年產量力45MW/a,10MW生產線已投入生產,全球市場用量每月在1千萬片左右,居薄膜電池首位
3、多晶硅光電池
p-Si(多晶硅,包括微品)光電池沒有光致衰退效應,材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響,是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉換效率為15.3%,經減薄襯底,加強陷光等加工,可提高到23.7[%],用CVD法制備的轉換效率約為12.6l7.3[%]。采用廉價襯底的psi薄膜生長方法有pECVD和熱絲法,或對asi:H材料膜進行后退火,達到低溫固相晶化,可分別制出效率9.8[%]和9.2[%]的無退化電池。微晶硅薄膜生長與asi工藝相容,光電性能和穩定性很高,研究受到很大重視,但效率僅為7.7%大面積低溫psi膜與si組成疊層電池結構,是提高比aS光電池穩定性和轉換效率的重要途徑,可更充分利用太陽光譜,理論計算表明其效率可在28%以上,將使硅基薄膜光電池性能出現突破性進展。銅煙硒光電池CIS(銅鎖硒)薄膜光電池己成為國際先伏界研究開發的熱門課題,它具有轉換效率高(已達到17.7%),性能穩定,制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的,厚度可做到2-3μrn,吸收層CIS膜對電池性能起著決定性用途。










