R1：基準供電電阻；與IC內部電阻構成分壓電路，控制內部過充、過放電壓比較器的電平翻轉；一般在阻值為330、470比較多；當封裝形式（即用標準元件的長和寬來表示元件大小，如0402封裝標識此元件的長和寬分別為1.0mm和0.5mm）較大時，會用數字標識其阻值，如貼片電阻上數字標識473，即表示其阻值為47000即47K（第三位數表示在前兩位后面加0的位數）。

R2：過流、短路檢測電阻；通過檢測VM端電壓控制保護板的電流，焊接不良、損壞會造成電池過流、短路無保護，一般阻值為1K、2K較多。

R3：ID識別電阻或NTC電阻（前面有介紹）或兩者都有。

總結：電阻在保護板中為黑色貼片，用萬用表可測其阻值，當封裝較大時其阻值會用數字表示，表示方法如上所述，當然電阻阻值一般都有偏差，每個電阻都有精度規格，如10K電阻規格為+/－5％精度則其阻值為9.5K－10.5K范圍內都為合格。

C1、C2：由于電容兩端電壓不能突變，起瞬間穩壓和濾波用途。總結：電容在保護板中為黃色貼片，封裝形式0402較多，也有少數0603封裝(1.6mm長,0.8mm寬)；用萬用表檢測其阻值一般為無窮大或M級別；電容漏電會出現自耗電大，短路無自恢復現象。FUSE：普通FUSE或PTC（PositiveTemperatureCoefficient的縮寫，意思是正溫度系數）；防止不安全大電流和高溫放電的發生，其中PTC有自恢復功能。

總結：FUSE在保護板中一般為白色貼片，LITTE公司供應FUSE會在FUSE上標識字符D-T，字符表示意思為FUSE能承受的額定電流，如表示D額定電流為0.25A，S為4A，T為5A等。

U1：控制IC；保護板所有功能都是IC通過監視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執行開關動作來實現的。

Cout：過充控制端；通過MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關。

Dout：過放、過流、短路控制端；通過MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關。

VM：過流、短路保護電壓檢測端；通過檢測VM端的電壓實現電路的過流、短路保護

（U（VM）=I*R（MOSFET））。

總結：IC在保護板中一般為6個管腳的封裝形式，其差別管腳的方法為：在封裝體上標識黑點的附近為第1管腳，然后逆時針旋轉分別為第2、3、4、5、6管腳；如封裝體上無黑點標識，則正看封裝體上字符左下為第1管腳，其余管腳逆時針類推）C-MOS：場效應開關管；保護功能的實現者；連焊、虛焊、假焊、擊穿時會造成電池無保護、無顯示、輸出電壓低等不良現象。

總結：CMOS在保護板中一般為8個管腳的封裝形式，它時由兩個MOS管構成，相當于兩個開關，分別控制過充保護和過放、過流、短路保護；其管腳區分方法和IC相同。

在保護板正常情況下，Vdd為高電平，Vss、VM為低電平，Dout、Cout為高電平；當Vdd、Vss、VM任何一項參數變換時，Dout或Cout的電平將發生變化，此時MOSFET執行相應的動作（開、關電路），從而實現電路的保護和恢復功能。