制作太陽能電池的用料以半導體材料為主，當然也有基于不同材料的電池，不同材料制作的電池在關于光電轉換的反應上有著不同的方式。本文就將為大家介紹與晶體硅太陽能電池有關的知識，對晶體硅太陽能電池的因為刻蝕不完整造成的漏電情況進行分析，感興趣的朋友快來看看吧。

刻蝕不完全或未刻蝕造成的漏電

擴散工藝中在硅片的上表面和周邊都擴散上了N型結，假如不去除周邊的N型結會導致電池片正負極被周邊的N型結聯(lián)接起來，使電池正負極接通，起不到電池的用途，等離子刻蝕去除太陽能電池的周邊結，其腐蝕反應方程為：

CF4------C+4F*(1)

Si+4F------SiF4*↑(2)

等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發(fā)性生成物而被去除。

假如硅片未刻蝕或刻蝕不完全沒有及時發(fā)現(xiàn)，并且下傳印刷，將出現(xiàn)局部漏電的電池片，可以通過IR紅外熱成像儀，判斷局部漏電硅片是否刻蝕原因出現(xiàn)的。

IR紅外熱成像儀的工作原理是在連接電池片的正負極時，使電池片上會形成一個電流回路，當有區(qū)域漏電時，該區(qū)域的電流就會特別大，出現(xiàn)的熱量就會比較多，紅外成像儀可以根據(jù)硅片表面出現(xiàn)的不同熱量轉換為電信號，進而在顯示器上形成熱圖像，可以對發(fā)熱的異常區(qū)域進行準確的識別。

圖1

刻蝕不完全或未刻蝕的硅片在IR下表現(xiàn)為電池片邊緣發(fā)紅，如圖1所示。刻蝕不完全或未刻蝕的電池片在進行四周打磨后漏電流會減少到2A以下，如表1所示。

表1

以上幾點可以判斷為刻蝕不完全或未刻蝕造成的。刻蝕不完全重要是由于硅片邊結由于設備原因或人為原因未去除干凈，導致漏電過大的異常現(xiàn)象重要有以下原因：1)刻蝕功率過小；2)刻蝕時間不足；3)刻蝕壓力波動導致刻蝕不均；4)刻蝕時機臺故障，以致刻蝕未進行完全；5)刻蝕時，硅片底部托盤未旋轉，導致刻蝕不均；6)人為原因，將未刻蝕硅片下傳；針對以上原因要加強刻蝕機的監(jiān)控，新增人員的責任意識。

通過以上的介紹可以看到，只要文中提到的一些問題出現(xiàn)，那么很有可能就是由于刻蝕不完全而導致的問題。當然，晶體硅太陽能電池出現(xiàn)漏電的錯誤并不是單單這一種情況造成的，其他很多情況也會造成電池漏電的情況發(fā)生，希望大家在閱讀本文之后能夠有所收獲。