MOS管最常見(jiàn)的應(yīng)用可能是電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對(duì)電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用一般都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1冗余與持續(xù)工作(圖1)。各并行電源平均分擔(dān)負(fù)載，確保系統(tǒng)即使在一個(gè)電源出現(xiàn)故障的情況下仍然能夠繼續(xù)工作。不過(guò)，這種架構(gòu)還要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個(gè)電源的故障不會(huì)影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端，有一個(gè)功率MOS管可以讓眾電源分擔(dān)負(fù)載，同時(shí)各電源又彼此隔離。起這種用途的MOS管被稱(chēng)為"ORing"FET，因?yàn)樗鼈儽举|(zhì)上是以"OR"邏輯來(lái)連接多個(gè)電源的輸出。

圖1：用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管

在ORingFET應(yīng)用中，MOS管的用途是開(kāi)關(guān)器件，但是由于服務(wù)器類(lèi)應(yīng)用中電源不間斷工作，這個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)際上始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。其開(kāi)關(guān)功能只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷，以及電源出現(xiàn)故障之時(shí)。

相比從事以開(kāi)關(guān)為核心應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，ORingFET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以服務(wù)器為例，在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，ORingFET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是最小傳導(dǎo)損耗。

低RDS(ON)可把BOM及pCB尺寸降至最小

一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)含義導(dǎo)通阻抗;對(duì)ORingFET應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)含義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但關(guān)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。

若設(shè)計(jì)人員試圖開(kāi)發(fā)尺寸最小、成本最低的電源，低導(dǎo)通阻抗更是加倍的重要。在電源設(shè)計(jì)中，每個(gè)電源常常要多個(gè)ORingMOS管并行工作，要多個(gè)器件來(lái)把電流傳送給負(fù)載。在許多情況下，設(shè)計(jì)人員必須并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需謹(jǐn)記，在DC電路中，并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗值。比如，兩個(gè)并聯(lián)的2Ω電阻相當(dāng)于一個(gè)1Ω的電阻。因此，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)低RDS(ON)值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設(shè)計(jì)人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系?；旧?，SOA含義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORingFET應(yīng)用中，首要問(wèn)題是：在"完全導(dǎo)通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無(wú)需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。

若設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)熱插拔功能，SOA曲線也許更能發(fā)揮用途。在這種情況下，MOS管要部分導(dǎo)通工作。SOA曲線含義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

注意剛剛提到的額定電流，這也是值得考慮的熱參數(shù)，因?yàn)槭冀K導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的新增。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其含義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡(jiǎn)單的含義是結(jié)到管殼的熱阻抗。細(xì)言之，在實(shí)際測(cè)量中其代表從器件結(jié)(關(guān)于一個(gè)垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗，在數(shù)據(jù)手冊(cè)中有描述。若采用powerQFN封裝，管殼含義為這個(gè)大漏極片的中心。因此，RθJC含義了裸片與封裝系統(tǒng)的熱效應(yīng)。RθJA含義了從裸片表面到周?chē)h(huán)境的熱阻抗，而且一般通過(guò)一個(gè)腳注來(lái)標(biāo)明與pCB設(shè)計(jì)的關(guān)系，包括鍍銅的層數(shù)和厚度。

開(kāi)關(guān)電源中的MOS管

現(xiàn)在讓我們考慮開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，以及這種應(yīng)用如何要從一個(gè)不同的角度來(lái)審視數(shù)據(jù)手冊(cè)。從含義上而言，這種應(yīng)用要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴(lài)兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(圖2)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。目前，設(shè)計(jì)人員常常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。

圖2：用于開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的MOS管對(duì)。(DC-DC控制器)

顯然，電源設(shè)計(jì)相當(dāng)復(fù)雜，而且也沒(méi)有一個(gè)簡(jiǎn)單的公式可用于MOS管的評(píng)估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為何至關(guān)重要。傳統(tǒng)上，許多電源設(shè)計(jì)人員都采用一個(gè)綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))來(lái)評(píng)估MOS管或?qū)χM(jìn)行等級(jí)劃分。

柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因?yàn)槎叨紝?duì)電源的效率有直接的影響。對(duì)效率有影響的損耗重要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

柵極電荷是出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗的重要原因。柵極電荷單位為納庫(kù)侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導(dǎo)通阻抗RDS(ON)在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝中相互關(guān)聯(lián)，一般來(lái)說(shuō)，器件的柵極電荷值較低，其導(dǎo)通阻抗參數(shù)就稍高。開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

某些特殊的拓?fù)湟矔?huì)改變不同MOS管參數(shù)的相關(guān)品質(zhì)，例如，可以把傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器與諧振轉(zhuǎn)換器做比較。諧振轉(zhuǎn)換器只在VDS(漏源電壓)或ID(漏極電流)過(guò)零時(shí)才進(jìn)行MOS管開(kāi)關(guān)，從而可把開(kāi)關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開(kāi)關(guān)或零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開(kāi)關(guān)損耗被最小化，RDS(ON)在這類(lèi)拓?fù)渲酗@得更加重要。

低輸出電容(COSS)值對(duì)這兩類(lèi)轉(zhuǎn)換器都大有好處。諧振轉(zhuǎn)換器中的諧振電路重要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外，在兩個(gè)MOS管關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi)，諧振電路必須讓COSS完全放電。

低輸出電容也有利于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器(有時(shí)又稱(chēng)為硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器)，不過(guò)原因不同。因?yàn)槊總€(gè)硬開(kāi)關(guān)周期存儲(chǔ)在輸出電容中的能量會(huì)丟失，反之在諧振轉(zhuǎn)換器中能量反復(fù)循環(huán)。因此，低輸出電容關(guān)于同步降壓調(diào)節(jié)器的低邊開(kāi)關(guān)尤其重要。