從分工上看，電源的生產(chǎn)重要有插件、波峰焊接、裝配、手工焊接、線上初步負載檢測、篩選檢驗、成品拼裝、負載老化檢驗、包裝等八大步驟。看起來好像過程并不復(fù)雜，但是每個步驟其實都能拆分成若干環(huán)節(jié)。細算下來，一個電源非要經(jīng)過十幾道工序才能生產(chǎn)出來。給大家說的在具體些，例如插件組，一條生產(chǎn)線上十多名插件女工(確實都是比較年輕的女工，因為女孩的雙手更加靈巧)，分為小件插接、大件插接。電源上百多個元件大部分都是靠她們插接固定，然后送入波峰焊接機的。而之后的裝配過程同樣要分成3、4個步驟。分類最多的是品控檢驗員。生產(chǎn)線上他們穿著和其他員工不同顏色的制服，分散在每道分工之間。對上一個環(huán)節(jié)完成的產(chǎn)品進行逐一檢驗。而最關(guān)鍵的負載檢驗，更是要前后進行3次。光單價幾十萬的Chroma電源動態(tài)綜合檢測儀一條生產(chǎn)線上就至少要配4組同時運行。加上其他一些細小環(huán)節(jié)，每個從線上下來的合格電源都算得上是“千錘百煉”了。

1、來料檢查

2、SMT工藝，SMT全稱表面貼片技術(shù)，它是通過高速貼片機將IC安置在指定位置的一項工藝，采用SMT技術(shù)的電源產(chǎn)品可以大幅縮減電源內(nèi)部元器件體積從而帶來功耗損耗的降低，但是由于SMT設(shè)備價值高昂同時關(guān)于料件品質(zhì)要求較高，因此國內(nèi)很多電源制造廠家(包含部分知名品牌)很少應(yīng)用。

3、稍大體積元器件的插接工作

4、電源半成品就要被送到波峰焊機中進行焊接(RHOS環(huán)保標準)

經(jīng)過波峰焊的電源，從理論上來講全部元器件都會被牢牢的焊接在pCB上

5、對電源進行全面檢測(CHROMA電子負載自動測試儀)

6、封裝工序

7、老化房中進行測試

8、再次利用CHROMA進行全面體檢

小小的電源，看似簡單但實際上從元器件到最終成品卻經(jīng)歷了如此復(fù)雜的程序

開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個技術(shù)焦點

20世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。

功率半導(dǎo)體器件從雙極型器件(BpT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導(dǎo)通損耗，電路也更為簡單。

自20世紀80年代開始，高頻化和軟開關(guān)技術(shù)的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關(guān)技術(shù)是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。

20世紀90年代中期，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(IpEM)技術(shù)開始發(fā)展，它是當(dāng)今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。

焦點一：功率半導(dǎo)體器件性能

1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“超級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關(guān)速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。

IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通(pT)型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz(硬開關(guān))和300kHz(軟開關(guān))。

IGBT的技術(shù)進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結(jié)構(gòu)形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通(pT)型、非穿通(NpT)型、軟穿通(SpT)型、溝漕型和電場截止(FS)型。

碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、pN結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體器件。

可以預(yù)見，碳化硅將是21世紀最可能成功應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件材料。焦點二：開關(guān)電源功率密度

提高開關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設(shè)備(如移動電話，數(shù)字相機等)尤為重要。使開關(guān)電源小型化的具體辦法有：

一是高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度，必須提高pWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。

二是應(yīng)用壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點之一。

三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量，須設(shè)法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。

焦點三：高頻磁與同步整流技術(shù)

電源系統(tǒng)中應(yīng)用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結(jié)構(gòu)和性能都不同于工頻磁元件，有許多問題要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，納米結(jié)晶軟磁材料也已開發(fā)應(yīng)用。

高頻化以后，為了提高開關(guān)電源的效率，必須開發(fā)和應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。

關(guān)于低電壓、大電流輸出的軟開關(guān)變換器，進一步提高其效率的措施是設(shè)法降低開關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管，代替蕭特基二極管(SBD)，可降低管壓降，從而提高電路效率。

焦點四：分布電源結(jié)構(gòu)

分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源，其優(yōu)點是：可實現(xiàn)DC/DC變換器組件模塊化;容易實現(xiàn)N+1功率冗余，提高系統(tǒng)可靠性;易于擴增負載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設(shè)計;瞬態(tài)響應(yīng)好;可在線更換失效模塊等。

現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)類型，一是兩級結(jié)構(gòu)，另一種是三級結(jié)構(gòu)。

焦點五：pFC變換器

由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時，單相整流電源供電的電子設(shè)備，電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6～0.65。采用pFC(功率因數(shù)校正)變換器，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱為有源功率因數(shù)校正ApFC單相ApFC國內(nèi)外開發(fā)較早，技術(shù)已較成熟;三相ApFC的拓撲類型和控制策略雖然已經(jīng)有很多種，但還有待繼續(xù)研究發(fā)展。

一般高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，由兩級拓撲組成，關(guān)于小功率AC/DC開關(guān)電源來說，采用兩級拓撲結(jié)構(gòu)總體效率低、成本高。

假如對輸入端功率因數(shù)要求不特別高時，將pFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個拓撲，構(gòu)成單級高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，只用一個主開關(guān)管，可使功率因數(shù)校正到0.8以上，并使輸出直流電壓可調(diào)，這種拓撲結(jié)構(gòu)稱為單管單級即S4pFC變換器。

焦點六：電壓調(diào)節(jié)器模塊VRM

電壓調(diào)節(jié)器模塊是一類低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊，向微處理器供應(yīng)電源。現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高，為降低微處理器IC的電場強度和功耗，必須降低邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V，而電流則高達50A～100A，所以對VRM的要求是：輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應(yīng)等。

焦點七：全數(shù)字化控制

電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數(shù)混合控制，進入到全數(shù)字控制階段。全數(shù)字控制是一個新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設(shè)備中得到應(yīng)用。

但是過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來，電源的高性能全數(shù)字控制芯片已經(jīng)開發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開發(fā)并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字控制芯片及軟件。

全數(shù)字控制的優(yōu)點是：數(shù)字信號與混合模數(shù)信號相比可以標定更小的量，芯片價格也更低廉;對電流檢測誤差可以進行精確的數(shù)字校正，電壓檢測也更精確;可以實現(xiàn)快速，靈活的控制設(shè)計。

焦點八：電磁兼容性

高頻開關(guān)電源的電磁兼容EMC問題有其特殊性。功率半導(dǎo)體開關(guān)管在開關(guān)過程中出現(xiàn)的di/dt和dv/dt，引起強大的傳導(dǎo)電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會引起強電磁場(通常是近場)輻射。不但嚴重污染周圍電磁環(huán)境，對附近的電氣設(shè)備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時，電力電子電路(如開關(guān)變換器)內(nèi)部的控制電路也必須能承受開關(guān)動作出現(xiàn)的EMI及應(yīng)用現(xiàn)場電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著許多交叉科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國內(nèi)外許多大學(xué)均開展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開關(guān)變換器中的電磁噪音源，重要來自主開關(guān)器件的開關(guān)用途所出現(xiàn)的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。焦點九：設(shè)計和測試技術(shù)

建模、仿真和CAD是一種新的設(shè)計工具。為仿真電源系統(tǒng)，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數(shù)字和模擬控制電路以及磁元件和磁場分布模型等，還要考慮開關(guān)管的熱模型、可靠性模型和EMC模型。各種模型差別很大，建模的發(fā)展方向是：數(shù)字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個統(tǒng)一的多層次模型等。

電源系統(tǒng)的CAD，包括主電路和控制電路設(shè)計、器件選擇、參數(shù)最優(yōu)化、磁設(shè)計、熱設(shè)計、EMI設(shè)計和印制電路板設(shè)計、可靠性預(yù)估、計算機輔助綜合和優(yōu)化設(shè)計等。用基于仿真的專家系統(tǒng)進行電源系統(tǒng)的CAD，可使所設(shè)計的系統(tǒng)性能最優(yōu)，減少設(shè)計制造費用，并能做可制造性分析，是21世紀仿真和CAD技術(shù)的發(fā)展方向之一。此外，電源系統(tǒng)的熱測試、EMI測試、可靠性測試等技術(shù)的開發(fā)、研究與應(yīng)用也是應(yīng)大力發(fā)展的。

焦點十：系統(tǒng)集成技術(shù)

電源設(shè)備的制造特點是：非標準件多、勞動強度大、設(shè)計周期長、成本高、可靠性低等，而用戶要求制造廠生產(chǎn)的電源產(chǎn)品更加實用、可靠性更高、更輕小、成本更低。這些情況使電源制造廠家承受巨大壓力，迫切要開展集成電源模塊的研究開發(fā)，使電源產(chǎn)品的標準化、模塊化、可制造性、規(guī)模生產(chǎn)、降低成本等目標得以實現(xiàn)。

實際上，在電源集成技術(shù)的發(fā)展進程中，已經(jīng)經(jīng)歷了電力半導(dǎo)體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無源元件(包括磁集成技術(shù))等發(fā)展階段。近年來的發(fā)展方向是將小功率電源系統(tǒng)集成在一個芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長度，從而減小了寄生參數(shù)。在此基礎(chǔ)上，可以實現(xiàn)一體化，所有元器件連同控制保護集成在一個模塊中。

上世紀90年代，隨著大規(guī)模分布電源系統(tǒng)的發(fā)展，一體化的設(shè)計觀念被推廣到更大容量、更高電壓的電源系統(tǒng)集成，提高了集成度，出現(xiàn)了集成電力電子模塊(IpEM)。IpEM將功率器件與電路、控制以及檢測、執(zhí)行等元件集成封裝，得到標準的，可制造的模塊，既可用于標準設(shè)計，也可用于專用、特殊設(shè)計。優(yōu)點是可快速高效為用戶供應(yīng)產(chǎn)品，顯著降低成本，提高可靠性。