雖然傳統(tǒng)的硅二極管或鍺二極管在大多數(shù)電子應(yīng)用中可以很好地作為整流器和開(kāi)關(guān)元件使用，但它們不具備電子微調(diào)、電子衰減、低損耗整流、基準(zhǔn)電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來(lái)完成這些任務(wù)。這些方法現(xiàn)在已經(jīng)讓位于更精巧的特殊用途二極管，包括變?nèi)荻O管、pIN二極管、肖特基二極管和齊納二極管。

所有這些類(lèi)型的二極管設(shè)計(jì)原理都是增強(qiáng)二極管的某些獨(dú)特特性，以低成本的二極管結(jié)構(gòu)填充小眾應(yīng)用的空白。在這些應(yīng)用中，使用特殊用途二極管可以減小尺寸，降低成本，解決傳統(tǒng)解決方案效率低下的問(wèn)題。典型用途包括開(kāi)關(guān)模式電源、微波和RF衰減器、RF信號(hào)源和收發(fā)器。

本文將討論特殊用途二極管的角色和工作原理。然后，本文還將以SkyworksSolutions和ONSemiconductor的產(chǎn)品為例，探討這些二極管的典型特性，最后還將提供一些電路示例，以展示如何有效地使用它們。

齊納二極管在受到反向偏壓時(shí)能夠維持固定的電壓。這種功能可用于提供已知基準(zhǔn)電壓，是電源中的一項(xiàng)重要操作。齊納二極管還可用于波形的削波或限幅，防止它們超過(guò)電壓極限。

齊納二極管使用重?fù)诫sp-N結(jié)制造而成，因而耗盡層很薄。此區(qū)域會(huì)產(chǎn)生很高的電場(chǎng)，即便在施加較低電壓的情況下亦是如此。在這些條件下，以下兩種機(jī)制會(huì)導(dǎo)致二極管被擊穿，從而產(chǎn)生高反向電流：

一種條件下，在小于5伏特的電壓下發(fā)生齊納擊穿，這是電子量子遂穿導(dǎo)致的結(jié)果

第二種擊穿機(jī)制是在電壓高于5伏特時(shí)，由于雪崩擊穿或碰撞電離導(dǎo)致?lián)舸?/p>

兩種情況下，二極管的工作是相似的（圖1）。

圖1：顯示齊納二極管的原理圖符號(hào)，及其電流-電壓特性曲線。雖然齊納二極管的電流-電壓特性具有正常的正向?qū)▍^(qū)，但在發(fā)生反向偏壓時(shí)，它會(huì)發(fā)生擊穿并在二極管兩端維持恒壓。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

當(dāng)齊納二極管受到正向偏壓時(shí)，可作為標(biāo)準(zhǔn)二極管使用。當(dāng)受到反向偏壓時(shí)，如果反向偏壓電平超過(guò)齊納電壓電平VZ，它會(huì)發(fā)生擊穿。此時(shí)，二極管在陰極和陽(yáng)極之間維持近乎恒定的電壓。讓二極管保持在齊納擊穿區(qū)域的最小電流為IZmin；由二極管額定功率耗散決定的最大電流為IZmax。電流必須通過(guò)外部電阻進(jìn)行限制，以防止出現(xiàn)過(guò)熱和故障。這一點(diǎn)顯示在圖2基于齊納效應(yīng)的基本穩(wěn)壓器原理圖中，其中采用ONSemiconductor的1N5229B齊納二極管構(gòu)建。

圖2：使用齊納二極管的基本穩(wěn)壓器原理圖，以及負(fù)載調(diào)節(jié)響應(yīng)。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

1N5229B齊納二極管的最大功耗為500毫瓦（mW），標(biāo)稱(chēng)齊納電壓為4.3伏特。在無(wú)負(fù)載的情況下，75歐姆（Ω）的串聯(lián)電阻器（R1）將功率耗散限制在455mW。隨著負(fù)載電流的增加，功率耗散會(huì)下降。圖中顯示了負(fù)載電阻值為200歐姆至2，000歐姆時(shí)的負(fù)載調(diào)節(jié)曲線。

除了電壓調(diào)節(jié)之外，齊納二極管還可以背對(duì)背連線，以提供限制為齊納電壓的受控電壓，以及正向壓降值。4.3伏特齊納限幅器將限制為±5伏特。限幅應(yīng)用可以擴(kuò)展到更廣泛的過(guò)壓保護(hù)電路。

肖特基二極管即熱載流子二極管，是基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)制造而成（圖3）。結(jié)的金屬側(cè)形成了陽(yáng)極，半導(dǎo)體側(cè)成為陰極。正向偏壓時(shí)，肖特基二極管的最大正向壓降在0.2至0.5伏特范圍內(nèi)，具體取決于正向電流和二極管類(lèi)型。當(dāng)肖特基二極管與電源串聯(lián)使用時(shí)，例如在反向電壓保護(hù)電路中，這樣的低正向壓降是非常有用的，因?yàn)樗軌蚪档凸β蕮p耗。

圖3：肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬-N型半導(dǎo)體結(jié)，因而具有很低的正向壓降和極快的開(kāi)關(guān)速度。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

這些二極管的另外一個(gè)重要特性是非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度。從打開(kāi)狀態(tài)切換為關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)二極管需要花費(fèi)一定時(shí)間來(lái)消除耗盡層的電荷，與之不同的是，肖特基二極管的金屬-半導(dǎo)體結(jié)沒(méi)有相關(guān)的耗盡層。

與硅結(jié)二極管相比，肖特基二極管的峰值反向電壓額定值受到限制。因此它們通常限定用于低壓開(kāi)關(guān)模式電源。ONSemiconductor的1N5822RLG峰值反向電壓（pRV）額定值高達(dá)40伏特，最大正向電流為3A。它能夠在開(kāi)關(guān)模式電源的多個(gè)方面得到應(yīng)用（圖4）。

圖4：肖特基二極管在開(kāi)關(guān)模式電源中的典型應(yīng)用示例，包括用于逆功率保護(hù)（D1）和瞬態(tài)抑制（D2）。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

肖特基二極管可用于保護(hù)穩(wěn)壓器電路，防止在輸入端意外施加反極性。本例中的二極管D1正是用于此用途。該二極管在此應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是正向壓降較低。肖特基二極管（本例中的D2）另一個(gè)更重要的功能是，在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)提供返回路徑，讓電流流過(guò)電感器L1。D2必須是使用較短的低電感連線連接的快速二極管，才能實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)功能。在低電壓電源的這項(xiàng)應(yīng)用中，肖特基二極管具有極佳的性能。

肖特基二極管還可應(yīng)用于RF設(shè)計(jì)，它們的快速開(kāi)關(guān)、低正向壓降、低電容特性使其非常適用于檢測(cè)器和采樣保持開(kāi)關(guān)。

變?nèi)荻O管有時(shí)也稱(chēng)為變?nèi)萜鞫O管，是適合提供可變電容的結(jié)型二極管。p-N結(jié)受到反向偏壓，并可通過(guò)更改施加的DC偏壓來(lái)改變二極管電容（圖5）。

圖5：變?nèi)荻O管根據(jù)施加的反向偏壓提供可變電容。偏壓電平越高，電容越低。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

變?nèi)荻O管的電容與施加的直流偏壓成反比。反向偏壓越高，二極管的耗盡區(qū)越廣，因而電容也越低。在SkyworksSoluTIons的SMV1801-079LF超突變結(jié)變?nèi)荻O管的電容與反向偏壓曲線圖中，我們可通過(guò)圖形方式看到這種變化（圖6）。

圖6：SkyworksSoluTIons的SMV1801-079LF變?nèi)荻O管的電容與反向偏壓的函數(shù)關(guān)系。（圖片來(lái)源：SkyworksSoluTIons）

這些二極管具有很高的擊穿電壓，高達(dá)28伏特的偏壓，能夠在廣泛的調(diào)諧范圍內(nèi)應(yīng)用?？刂齐妷罕仨毷┘佑谧?nèi)荻O管，以免翻轉(zhuǎn)下一級(jí)的偏置；它通常采用容性耦合，如圖7所示。

圖7：變?nèi)荻O管調(diào)諧式振蕩器通過(guò)電容器C1，將變?nèi)荻O管D1交流耦合到振蕩器?？刂齐妷和ㄟ^(guò)電阻器R1施加。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）

變?nèi)荻O管通過(guò)大型電容器C1交流耦合到振蕩器振蕩電路。這樣可將變?nèi)荻O管D1與晶體管偏壓隔離，反之亦然。控制電壓通過(guò)隔離電阻器R1施加。

變?nèi)荻O管可在其他一些應(yīng)用中取代可變電容器，例如在調(diào)諧RF或微波濾波器、頻率或相位調(diào)制器、移相器和倍頻器中。

pIN二極管在RF和微波頻率下用作開(kāi)關(guān)或衰減器。它是通過(guò)在傳統(tǒng)二極管的p型層和N型層之間層疊高電阻率本征半導(dǎo)體層而形成，因此名稱(chēng)pIN反映了該二極管的結(jié)構(gòu)（圖8）。

非偏壓或反向偏壓二極管沒(méi)有電荷存儲(chǔ)在本征層。這是開(kāi)關(guān)應(yīng)用的關(guān)斷條件。插入本征層可以增加二極管耗盡層的有效寬度，從而產(chǎn)生很低的電容，并提高擊穿電壓。

正向偏壓條件導(dǎo)致空穴和電子被注入到本征層。這些載流子要花費(fèi)一些時(shí)間相互重新組合。這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為載流子壽命t。平均存儲(chǔ)的電荷將本征層的有效電阻降低到最小電阻RS。在正向偏壓條件下，二極管用作RF衰減器。

SkyworksSoluTIons的SMp1307-027LFpIN二極管陣列將四個(gè)pIN二極管組合在通用封裝中，用作5MHz至2GHz頻率范圍的RF/微波衰減器（圖9）。

圖9：基于SkyworksSolutions的SMp1307-027LFpIN二極管陣列的pIN二極管衰減器電路。圖中以控制電壓為參數(shù)，顯示了衰減與頻率之間的關(guān)系。（圖片來(lái)源：SkyworksSolutions）

該pIN二極管陣列適用于低失真pi和T形配置衰減器。基于1.5微秒（μs）載流子壽命，有效電阻RS在1mA電流下不超過(guò)100Ω，在10mA電流下不超過(guò)10Ω。它適用于電視信號(hào)分配應(yīng)用。

這些特殊用途二極管為以前采用過(guò)時(shí)技術(shù)完成的關(guān)鍵功能提供了精巧的解決方案，現(xiàn)已成為電子電路設(shè)計(jì)的主流。齊納二極管可實(shí)現(xiàn)低電壓基準(zhǔn)；肖特基二極管可降低功率損耗并提供快速開(kāi)關(guān)；變?nèi)荻O管可實(shí)現(xiàn)電子微調(diào)，并取代大體積的機(jī)械可變電容器；pIN二極管則以快斷式RF開(kāi)關(guān)取代了機(jī)電RF開(kāi)關(guān)。