由鋰離子供電的高功率密度、高能效、三相無刷直流(BLDC)電機可用于開發無線電動工具、真空吸塵器和電動自行車。然而，為了給更緊湊的機電產品節省出空間，設計人員面臨進一步縮小電機控制電子器件的壓力。

由鋰離子供電的高功率密度、高能效、三相無刷直流(BLDC)電機可用于開發無線電動工具、真空吸塵器和電動自行車。然而，為了給更緊湊的機電產品節省出空間，設計人員面臨進一步縮小電機控制電子器件的壓力。

這項任務并不簡單。除了將驅動元件壓縮到狹小空間這個顯著的難題外，還有因所有器件靠的更近而造成的熱管理問題，當然還有電磁干擾（EMI）問題。

電機控制電路設計人員可以采用新一代高度集成的柵極驅動器來實現更纖薄的設計。它是電機控制系統最關鍵的元件。

本文將先探討BLDC電機的運行，然后再介紹合適的柵極驅動器以及如何使用它們來克服緊湊電機控制系統所面臨的設計挑戰。

打造更好的電機

由于在商業上面臨著能效和節省空間的雙重壓力，電機設計得到了迅猛的發展。數控BLDC電機代表了這一發展的一個分支。這種電機的普及要歸功于電子換向技術的應用。在該技術的幫助下，BLDC電機的效率要遠高于傳統（有刷換向）直流電機。如果兩種電機以相同速度和負載運行，BLDC電機的效率會比傳統電機高20％-30％。

這種改進使得BLDC電機能夠在給定功率輸出條件下變得更小、更輕、更安靜。此外，BLDC電機還擁有其他多種優勢，包括更好的速度比扭矩特性、更快的動態響應、無噪聲運行以及更高的速度范圍。與此同時，工程師們也在推動設計向著更高電壓和更高頻率發展，因為這可讓緊湊型電機完成與大型傳統電機同樣的功能。

BLDC電機成功的關鍵在于其電子開關模式電源以及電機控制電路，這種電路可以產生一個三相輸入，進而產生能夠拉動電機轉子轉動的旋轉磁場。由于磁場和轉子以相同頻率旋轉，因此這種電機被歸類為同步電機。霍爾效應傳感器可傳達定子和轉子的相對位置，確保了控制器能夠在適當時刻切換磁場。此外，它還采用了無傳感器技術，通過監控反電動勢(EMF)來確定定子和轉子的位置。

在三相BLDC電機中，依序施加電流的最常見配置是以橋式結構排列三對功率MOSFET。每對功率MOSFET均充當逆變器，用于將來自電源的DC電壓轉換為驅動電機繞組所需的AC電壓（圖1）。在高壓應用中，通常使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)代替MOSFET。

圖1：數控三相BLDC電機通常使用三對MOSFET進行控制，一對MOSFET為一個電機繞組提供AC電壓。（圖片來源：TexasInstruments）

晶體管對包括低壓側器件（源極接地）和高壓側器件（源極在接地和高壓電源軌之間浮動）。

在典型布局中，使用脈寬調制(PWM)控制MOSFET柵極，可以有效地將輸入DC電壓轉換為調制驅動電壓。其中應使用至少比預期最大電機轉速高一個數量級的PWM頻率。一對MOSFET可以控制一個電機相位的磁場。

電機控制系統一個完整的電機控制系統包括電源、主機微控制器、柵極驅動器以及采用半橋拓撲結構的MOSFET（圖2）。微控制器用于設置PWM占空比并負責開環控制。在低壓設計中，柵極驅動器和MOSFET橋有時會集成在一個單元中。然而，對于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅動器和MOSFET橋會分開布置，這樣可以針對柵極驅動器和橋采用不同的工藝技術并最大限度地降低EMI。

圖2：基于TIMSP430微控制器的BLDC電機控制示意圖。（圖片來源：TexasInstruments）

MOSFET橋可由分立器件或集成芯片組成。將低壓側和高壓側MOSFET集成到同一封裝的關鍵優勢是，即使兩個MOSFET存在不同的功率耗散，集成后也可以使上下MOSFET之間實現自然熱平衡。無論是集成式還是分立式，每對晶體管都需要獨立的柵極驅動器來控制開關時序和驅動電流。

此外，可以使用分立元件來設計柵極驅動器電路。這種方法的優勢在于，工程師可以根據MOSFET特征精確調整柵極驅動器并對性能進行優化。不過，這種方法也存在缺點，它需要高水平的電機設計經驗以及容納分立解決方案所需的空間。

模塊化電機控制解決方案提供了另一種選擇，市場上有各種各樣的集成式柵極驅動器。較好的模塊化柵極驅動解決方案包括：

高度集成解決方案，可最大限度地減少器件所需的空間

高驅動電流解決方案，可降低開關損耗并提高效率

高柵極驅動電壓解決方案，可確保以最小內阻（RDS(ON)）導通MOSFET

高水平過流、過壓和過熱保護解決方案，可確保系統能夠在最壞情況下可靠運行

像TexasInstruments的DRV8323x三相柵極驅動器系列之類的器件不僅能滿足高能效BLDC電機的要求，還能減少系統的元件數量，同時降低成本和復雜性。

DRV8323x系列有三種型號。每種型號都集成了三個獨立的柵極驅動器，能夠驅動高壓側和低壓側的MOSFET對。柵極驅動器包含一個電荷泵，可為高壓側晶體管產生高柵極電壓（最高支持100%占空比），還包含一個線性穩壓器，可為低壓側晶體管供電。

TI柵極驅動器包括感應放大器。如果需要，可以對放大器進行配置，以放大通過整個低壓側MOSFET的電壓。這些器件可拉出最高1A和灌入2A的峰值柵極驅動電流，其采用單電源供電并具有6V至60V的超寬輸入電源范圍。

例如，DRV8323R版驅動器集成了三個雙向電流檢測放大器，利用低壓側分流電阻器通過每個MOSFET橋來監控電流水平。電流檢測放大器的增益設置可通過SPI或硬件接口進行調整。微控制器連接至DRV8323R的EN_GATE，因此可以啟用或禁用柵極驅動輸出。

此外，DRV8323R驅動器還集成了一個600mA的降壓穩壓器，可為外部控制器供電。該穩壓器既可以使用柵極驅動器電源，也可以使用單獨電源（圖3）。

圖3：高集成度柵極驅動器（如TI的DRV8323R）可以減少系統元件數量，降低成本和復雜性，同時節省空間。（圖片來源：TexasInstruments）

這些柵極驅動器具有多項保護功能，如電源欠壓鎖定、充電泵欠壓鎖定、過流監控、柵極驅動器短路檢測以及過熱關斷等。

每個DRV832x都封裝在一個尺寸僅為5x5-7x7mm（取決于選件）的芯片中。這些產品可以節省24個以上分立元件所需的空間。

采用集成式柵極驅動器進行設計為使設計人員快速開始設計，TI提供了參考設計TIDA-01485。TIDA-01485是一個效率達99%、功率級為1千瓦(kW)的參考設計，適用于各種應用的三相36伏BLDC電機，例如以10芯鋰離子電池供電的電動工具等。

該參考設計通過構建此功率級最小的電機控制電路之一，展示了如何使用高度集成的柵極驅動器（如DRV8323R）在電機控制設計中節省空間。該參考設計實現了基于傳感器的控制。

該參考設計的主要元件包括MSP430F5132微控制器、DRV8323R柵極驅動器和三個CSD8859960V半橋MOSFET電源模塊（圖4）。

圖4：TIDA-01485是一個效率達99%、功率級為1kW的參考設計，適用于可由10芯鋰離子電池供電的三相36VBLDC電機。（圖片來源：TexasInstruments）

雖然柵極驅動器是一個高度集成的模塊化解決方案，能夠消除分立設計所帶來的諸多復雜性，但仍需要做一些設計來打造能夠充分發揮其作用的系統。該參考設計為設計人員展示了一個全面的解決方案，可幫助其設計原型。

例如，柵極驅動器需要幾個去耦電容器才能正常運行。在參考設計中，1微法(F)電容器(C13)實現了低壓側MOSFET驅動電壓(DVDD)的去耦，而該電壓來自DRV8323R的內部線性穩壓器（圖5）。該電容器必須放置在盡可能靠近柵極驅動器的位置，才能最大限度地減小回路阻抗。此外，需要第二個4.7F電容器(C10)對36V電池的直流電源輸入(PVDD)去耦。

圖5：DRV8323R柵極驅動器應用電路。應盡量減少跡線長度，以限制EMI。（圖片來源：TexasInstruments）

二極管D6有助于隔離柵極驅動器電源，以防在出現短路情況時電池電壓驟降。此二極管非常重要，因為它的存在可確保PVDD去耦電容器(C10)在短時電壓驟降情況下保持輸入電壓。

保持電壓可防止柵極驅動器進入不需要的欠壓鎖定狀態。C11和C12是使電荷能夠正常運行的關鍵器件，也應盡可能地將這兩個器件放置在靠近柵極驅動器的位置。

一般來說，好的設計思路是盡量減少高壓側和低壓側柵極驅動器的回路長度，其主要目的是減少EMI。高壓側回路是從DRV8323GH_X到功率MOSFET，并通過SH_X返回。低壓側回路是從DRV8323GL_X到功率MOSFET，并通過GND返回。

開關時序的重要性

如何選擇MOSFET是關系到BLDC電機性能和效率的關鍵。由于沒有兩個MOSFET系列完全相同，因此每次選擇MOSFET時都取決于所需的開關時間。即使是稍微弄錯時序，也會導致效率低下、EMI升高以及電機可能出現故障等問題。

例如，不正確的時序會引起擊穿，這種情況會造成低壓側和高壓側MOSFET同時導通，進而導致災難性短路。其他定時問題包括寄生電容觸發瞬變，進而可能損壞MOSFET。此外，外部短路、焊料橋或MOSFET在特定狀態下掛起也會引起問題。

TI將其DRV8323稱為智能柵極驅動器，原因是這款驅動器可以為設計人員提供時序及反饋控制，來幫助化解這些問題。例如，該驅動器包括一個內部狀態機，可以防止柵極驅動器出現短路、控制MOSFET橋的空載時間(IDEAD)并防止外部功率MOSFET出現寄生導通。

此外，DRV8323柵極驅動器還含有一個用于高壓側和低壓側驅動器的可調節推挽拓撲，可實現外部MOSFET橋的強力上拉和下拉，從而避免雜散電容問題。可調柵極驅動器支持改變即時柵極驅動電流(IDRIVE)和持續時間(tDRIVE)（無需限流柵極驅動電阻），可對系統進行微調（圖6）。

圖6：在某個三相BLDC電機的MOSFET橋中，高壓側(VGHx)和低壓側晶體管(VGLx)的電壓和電流輸入。IDRIVE和tDRIVE對于電機是否正常運行及效率非常重要；IHOLD用于將柵極維持在所需狀態；ISTRONG用于防止低壓側晶體管的柵極至源極電容出現導通。（圖片來源：TexasInstruments）

IDRIVE和tDRIVE最初應根據外部MOSFET的特性進行選擇，如柵極到漏極電荷、所需的上升和下降時間等。例如，如果IDRIVE太低，MOSFET的上升和下降時間就會更長，從而導致開關損耗過高。此外，上升和下降時間還（在某種程度上）決定了每個MOSFET的續流二極管恢復峰值所需的能量和持續時間，這兩個因素可能會進一步降低效率。

當更改柵極驅動器狀態時，IDRIVE會應用于tDRIVE周期，該周期必須足夠長，才能確保柵極電容完全充電或放電。根據經驗，選擇tDRIVE時應確保其大約是MOSFET開關上升和下降時間的兩倍。請注意，tDRIVE不會增加PWM時間。如果在活動期間收到PWM命令，還會終止該周期。

在tDRIVE周期之后，一個固定保持電流(IHOLD)會用于將柵極維持在所需狀態（上拉或下拉）。在高壓側導通期間，低壓側MOSFET柵極會受到強力下拉，以防晶體管的柵極至源極電容發生導通。

固定tDRIVE持續時間可確保在故障情況下（如MOSFET柵極短路），峰值電流時間受到限制。這可限制能量傳遞并防止柵極驅動引腳和晶體管受損。

結論

模塊化電機驅動器無需使用眾多分立元件，因而節省了空間，并增強了新一代緊湊型數控高功率密度BLDC電機的優勢。這些智能柵極驅動器還含有一項技術，不僅能簡化設置功率MOSFET開關時序的復雜開發過程，還能減輕寄生電容的影響并降低EMI。

盡管如此，還是需要精心選擇外圍電路，如功率MOSFET和去耦電容器。不過如上所示，主流的電機驅動器供應商均會提供參考設計，供開發人員設計自己的原型。