電子產(chǎn)品在使用過程中，或多或少都存在浪涌的干擾，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品或者是智能設(shè)備有的有使用直流電源＆電池或AC電源的供電系統(tǒng)，系統(tǒng)由于負載電流的新增，在使用過程中可能存在瞬態(tài)電流的沖擊，瞬間的尖峰電流會對器件產(chǎn)生過高的電壓或電流應(yīng)力。以下器件的內(nèi)部分析如下：

電源

物理分析內(nèi)部故障情況圖片；以下為具體的驅(qū)動控制IC故障故障剖面圖；

RootCause：Electricaloverstressappliedonpin5（GATE）－EOS

（相關(guān)結(jié)論IC廠家大多以英文方式給出）

EOS的含義：EOS是ElectricaloverStress的縮寫，指所有的過度的電性應(yīng)力，過度電性應(yīng)力是指當外界電流或電壓超過器件的最大限制條件時，器件性能降低甚至損壞。在大多的器件失效案例中，電子元器件內(nèi)部電路與參考地之間存在不同電位之間形成了短路狀況，產(chǎn)生過電流而造成元器件損壞。此為大多數(shù)電子器件失效的重要因素。

EOS產(chǎn)生的原因

上面所指的過度性應(yīng)力為EOS，如下的原因就可能導(dǎo)致EOS問題的產(chǎn)生！

1．外界雷電浪涌的感應(yīng)Surge

2．由于大電流的存在，電源瞬態(tài)上電引起的浪涌Surge超過了IC所承受的范圍。

3．電路板上開關(guān)器件及電路可能會導(dǎo)致電路板內(nèi)部出現(xiàn)高壓尖峰，進而傳導(dǎo)到電路板上的其它位置及器件上；

4．電子線路中因為不好的pCB接地連接走線導(dǎo)致地平面的噪聲過大，產(chǎn)生大的電壓差；

5．電子產(chǎn)品或電子設(shè)備在強的電磁環(huán)境使用，受到其它電磁場的干擾而引起電子線路內(nèi)部器件的損壞；

6．MCU及IC控制器進行開關(guān)操作產(chǎn)生I／O口的過沖及負電壓問題；

7．電子產(chǎn)品或電子設(shè)備的接口連接線進行熱插拔引起的浪涌Surge沖擊問題；

8．電子產(chǎn)品及設(shè)備的應(yīng)用場合由于ESD的存在，從而引起器件的損壞。

EOS與ESD的差異

ESD是ElectrostaticDischarge的縮寫即靜電放電。靜電是一種電能，它存在于物體表面，是正負電荷在局部失衡時產(chǎn)生的一種現(xiàn)象。靜電測試重要是模擬人體，機器，器件之間的干擾過程，同時檢驗產(chǎn)品在相應(yīng)的電磁環(huán)境中的抗干擾能力。ESD的現(xiàn)象可能會造成系統(tǒng)的誤動作，嚴重的現(xiàn)象會損壞IC內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)。

EOS的電性能特征：

一般會造成IC器件內(nèi)部的金屬走線短路，內(nèi)部功能電路損壞，燒毀，功能的喪失等等；由此可以判斷ESD是EOS的一種失效現(xiàn)象！

EOS的損壞特性

EOS從表現(xiàn)的現(xiàn)象來看：一般會損壞IC，pCB－Trace燒焦，IC內(nèi)部器件開路，短路；根據(jù)電子元器件的常見原因分析中，EOS占47％是所有元器件的失效之最。

EOS在器件內(nèi)部的保護電路問題；

通過pN結(jié)／二極管、三極管、MOS管、snap－back進行器件的內(nèi)部功能單元保護，通過pN結(jié)二極管的理論，二極管有一個特性：正向?qū)ǚ聪蚪刂梗曳雌妷豪^續(xù)新增會發(fā)生雪崩擊穿而導(dǎo)通，我們稱之為鉗位二極管（Clamp）。這正是我們設(shè)計靜電保護所要的理論基礎(chǔ)，我們就是利用這個反向截止特性讓這個旁路在正常工作時處于斷開狀態(tài)，而外界有靜電的時候這個旁路二極管發(fā)生雪崩擊穿而形成旁路通路保護了內(nèi)部電路或者柵極！

關(guān)于目前的常用器件的內(nèi)部電子線路的保護電路采用內(nèi)部Transistor（保護晶體管）誤動作進而觸發(fā)ESDcellsnapback，高能量的EOS會導(dǎo)致ICpin出現(xiàn)低阻抗和大電流，引發(fā)外部器件或IC損壞故障。

以上為IC的常用內(nèi)部Transistor（保護晶體管）誤動作進而觸發(fā)ESDcellsnapback單元設(shè)計；對應(yīng)一定能量的EOS能量，一般IC是會滿足相關(guān)的設(shè)計標準；常常由于不良布局在強的浪涌Surge工作狀況下：在進行高電壓共模浪涌（高電壓正負脈沖）測試時，IC－VCC電流由于內(nèi)部Transistor接收到異常的高電壓脈沖；內(nèi)部Transistor受到干擾出現(xiàn)誤觸發(fā)狀態(tài)；內(nèi)部Transistor（保護晶體管）誤動作進而觸發(fā)ESDcellsnapback，導(dǎo)致ICpin出現(xiàn)低阻抗和大電流，引發(fā)外部器件或IC損壞故障，我們由此得到幾乎關(guān)于IC來講所有分析的結(jié)論的EOS＝RootCause：Electricaloverstressappliedon＊＊＊＊＊