獲得最優(yōu)化的絨面是提高多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。本研究采用等離子體浸沒離子注入法成功制備出具有不同絨面結(jié)構(gòu)的多晶黑硅。利用原子力顯微鏡（AFM）、分光光度計和量子效率測試儀分別對黑硅的表面結(jié)構(gòu)、反射率和內(nèi)量子效率進行了分析研究。研究結(jié)果表明，使用不同制絨條件在黑硅表面形成的納米級小山峰的平均高度為150-600nm。隨著小山峰高度的增加，在波長范圍為300nm-1100nm的區(qū)域內(nèi)其反射率會降低，內(nèi)量子效率（IQE）也會隨之降低。幾個條件中最優(yōu)的絨面小山峰高度為300nm，電池效率為15.99%，短路電流密度為34mA/cm2。

1引言

眾所周知，由于大氣和硅片接觸面折射率的突然變化，去除機械損傷層后的硅片表面反射率高達40%。降低硅片表面反射率增加光吸收是提高多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的一個重要方向。在硅片表面沉積具有過渡折射率的減反射層（如SiNx）是一種可以有效減反射的方法，但表面制絨是一種更穩(wěn)定和有效的減反射方法。在工業(yè)化生產(chǎn)中，單晶硅利用各向異性腐蝕在堿液中制絨，硅片表面形成金字塔狀結(jié)構(gòu)可以有效地降低硅片表面的反射率。但是多晶硅晶向不規(guī)則，各向同性，不能在堿液中制絨，而是在酸溶液中制絨。多晶硅酸制絨后反射率在25%左右，反射光損失仍然很大。

為了進一步降低多晶硅片表面的反射率，人們嘗試和研究了很多種制絨方法。在硅片表面制備納米結(jié)構(gòu)，有效降低了反射率，硅片看上去是黑色的，被稱作黑硅。Terres等人使用飛秒激光器成功制備出黑硅并驗證了其轉(zhuǎn)換效率比非制絨硅電池效率高。局部金屬催化濕化學(xué)腐蝕的方法也可以制作黑硅，電池效率能達到12-14%。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）技術(shù)被廣泛應(yīng)用于制備黑硅。Zaidi等人研究證實了RIE制絨并去除表面缺陷的太陽能電池的短路電流密度要比濕化學(xué)方法制作的電池高。Lee等人研究表明，去除表面缺陷后的RIE制絨多晶黑硅電池的效率高達16.32%[11]。在我們以前的研究中，采用等離子體浸沒離子注入法（PIII）可以成功制備出多晶黑硅并研究了其表面微觀結(jié)構(gòu)和反射率。目前，我們通過PIII方法制備出多晶黑硅并研究了絨面結(jié)構(gòu)對電池電性的影響。

2實驗設(shè)計

本次試驗使用的多晶硅片是156mm*

156mm，P型摻雜，厚度為200±20μm，電阻率1-3Ω。首先在80℃下，濃度為10%的NaOH溶液中去除硅片表面機械損傷。隨后采用不同條件（如表1）的PIII方法制絨。然后所有的硅片在2%的HCl和10%的HF中去除金屬離子、雜質(zhì)、氧化層。在825℃條件下，使用POCl3擴散。然后邊緣刻蝕，在體積分?jǐn)?shù)10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）沉積的SiNx厚度為80nm、折射率為2.05。最后絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)制備成電池。

表1

制備黑硅的條件

通過AFM研究了黑硅的表面微觀結(jié)構(gòu)和表面面積。通過帶有積分球探測器的紫外可見近紅外分光光度計（VarianCary5000）測試波長范圍為300nm-1100nm的入射光在硅片表面的反射率。通過四探針測試硅片表面方阻。通過內(nèi)量子效率測試儀（SolarCellScan100）測試電池的IQE。在25℃、AM1.5，一個太陽光譜條件下使用JR-1250SolarCellI.V測試分選儀測試電池電性能。利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）JEOLJSM-7001F研究Ag-Si接觸的橫截面。

3實驗結(jié)果和討論

圖1是拋光硅片和C1，C3，C5的照片。我們已經(jīng)成功制備出黑硅，表面絨面均勻，隨著C1到C5制絨條件的改變，反射率逐漸降低。利用AFM研究了黑硅表面的微觀形貌。看以看出，很多致密的隨機的小山峰覆蓋在黑硅表面。實驗條件為C1、C2、C3、C4、C5的小山峰高度分別是150nm、220nm、300nm、450nm、600nm。C5的小山峰的橫向尺寸比C1大。圖2是條件C1、C3、C5的微觀形貌圖。黑硅表面的絨面是刻蝕離子SF_x^+（x≤5）、F+和掩膜SixOyFz相互競爭形成的。C1到C5反應(yīng)條件不同，導(dǎo)致絨面形貌不同。

圖3是C1到C5的反射率對比。同時對比了其與酸制絨多晶硅表面的反射率。發(fā)現(xiàn)C1到C5的反射率依次降低。但由于黑硅有特殊的表面結(jié)構(gòu)（在波長300~1100nm范圍內(nèi)，采用C1條件制絨后的反射率要比酸制絨的反射率低很多）我們可以用有效介質(zhì)近似的理論解釋黑硅的減反射效果。黑硅小山峰的橫向尺寸大約為100nm，入射光的多次反射和衍射有效的降低了硅片表面的反射率。很明顯，小山峰增加了入射光在硅片表面的反射時間。小山峰的尺寸大小接近入射光波長時，零階干涉條紋會變?nèi)酢l件C1到C5，隨著小山峰高度的增加，多次反射和干涉效果會更加明顯，導(dǎo)致反射率降低。

為了研究電池的減反射效果，測試了沉積SiNx膜后的硅片表面反射率（如圖3）。很明顯，所有條件的硅片表面沉積SiNx后，反射率都明顯降低了。例如，條件C3的反射率從12.22%降低到3.87%。在波長范圍600nm-1100nm區(qū)域內(nèi)的反射率幾乎都在2%左右。因此，我們可以利用黑硅表面的納米結(jié)構(gòu)和SiNx層的共同作用，來降低電池的反射率。