炭石墨材料具有自潤滑性，機械強度高、摩擦系數低、耐高溫、抗磨性好，廣泛用于機械、化工、石油、儀表、水泵等領域。常規的石墨材料抗磨性和耐腐蝕性都不太理想，而硅化石墨作為一種新穎的工程材料，具有碳石墨和碳化硅兩種材料的性能，用途十分廣泛。

　　一．何為硅化石墨？

　　硅化石墨是指在石墨材料表面涂覆碳化硅層而構成的一種復合材料。碳化硅層厚為1～1.5mm，碳化硅層和石墨基體結合緊密。硅化石墨的硬度實為SiC的硬度，它僅次于金剛石、氮化硼、碳化硼，比碳化鎢、三氧化二鋁等的硬度高。

　　硅化石墨不僅具有碳石墨材料的自潤滑性，良好的導電導熱性，抗熱震性和密封性，還具有碳化硅的高強度、抗氧化、耐化學腐蝕等優點，并且特別適合于在重載、高溫等苛刻場合下的應用，因此，硅化石墨材料越來越廣泛的應用于密封、摩擦、化工、冶金及宇航和核工業等領域。

　　二．硅化石墨的制備

　　硅化石墨的生產方法主要有三種化學氣相沉積法(CVD)，化學氣相反應法(CVR)及液硅滲透反應法。

　　1.化學氣相沉積(CVD))法

　　使含硅、碳的氣體通過高溫石墨基體發生熱分解，生成SiC沉積在石墨基體表面。原料為三氯甲基硅烷(CH3SiC3)、四氯化硅、氫、硅蒸氣等。沉積溫度范圍較寬，從1175℃到1775℃。用此法生成的SiC層非常致密，厚薄均勻，一般厚度約為0.1～0.3mm。但SiC與石墨基體的結合為純機械結合，結合力較弱，在溫度急變時SiC層易發生龜裂、剝落。

　　2.化學氣相反應法(CVR)

　　原料為焦炭粉和過量的石英砂或無定形硅粉，當加熱到2000℃時發生化學反應，生成SiO蒸氣。SiO蒸氣和碳基體反應生成SiC。SiC層和碳基體二者無明顯界面，結合很牢固，在溫度驟變及高負荷情況下不會脫落，但CVR法是SiO氣體滲入碳基體內進行反應，因此，仍然保留了碳基體的多孔性，在用作密封材料時，需用樹脂浸漬或CVD法進行孔隙的填充。

　　3.液硅滲透法

　　此法也屬于CVR的一種。在真空條件下，加熱到1700-1900℃，將碳基體直接浸入熔融的硅液中，液硅逐步滲入碳基體內部，發生反應生成SiC。原料為99.9999%的純硅。SiC層厚度可達3.5mm。反應后，碳基體內含有約17%的游離硅填充基體的孔隙中，使基體變得致密不透。但游離硅的存在降低了硅化石墨的抗腐蝕性能和高溫抗氧化性能。