晶膠電池-晶膠電池的原理

硅是集成電路產業的基礎，半導體材料中98％是硅，半導體硅工業產品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應用于集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用于大功率半導體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應用最廣。中彰國際（SINOSI）是一家致力于尖端科技、開拓創新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規模生產和大批量供應單晶硅、多晶硅及Φ4〃-Φ6〃直拉拋光片、Φ3〃-Φ6〃直拉磨片和區熔NTD磨片并且可以按照國內、外客戶的要求提供非標產品。

晶膠電池-單晶硅

單晶硅主要有直拉和區熔區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。各項參數可按客戶要求生產。

多晶硅

區熔用多晶硅可生產直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3。各項參數可按客戶要求生產。

切磨片

切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合并優于國家現行標準，并可按客戶要求生產。

區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用于微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為硅片引起的第一次革命。區熔單晶硅是用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。

1、制作電力電子器件

電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為硅片引起的第二次革命，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(pIC)等，廣泛應用于高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。制作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。

2、制作高效率太陽能光伏電池

太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也于2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。

區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用于微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為硅片引起的第一次革命。區熔單晶硅是用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。

1、制作電力電子器件

電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為硅片引起的第二次革命，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(pIC)等，廣泛應用于高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。制作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。

2、制作高效率太陽能光伏電池

太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也于2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。